长江存储宣布128层堆叠的3DNAND闪存研发成功，有X2-6070这款拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量的3DQLC，以及128层堆叠的3DTLCX2-9060。在2018年的闪存峰会上，长江存储正式推出了Xtacking架构3D闪存，当时还是32层堆叠，仅用三年时间就变成了128层堆叠，效率相当高。

近日，TechInsights对Asgard（阿斯加特）最新的AN41TBSSD（基于PCIe4.0标准）进行了拆解和分析，这款产品是长江存储128层堆叠3DNAND闪存的首次商业应用。

长江存储的128层堆叠产品采用的Xtacking架构已经全面升级至2.0，可进一步释放3D闪存的潜能，其基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，可在1.2VVccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。目前长江存储的Xtacking2.0架构用于制造128层堆叠的512GbTLC芯片，以及128层QLC3DNAND芯片。

拆解的AN41TBSSD采用了长江存储128层堆叠的512GbTLC芯片，尺寸为60.42平方毫米，位密度增加到8.48Gb/平方毫米，相比Xtacking1.0架构的芯片（256Gb）提高了92%。长江存储Xtacking混合键合技术使用了两片晶圆来集成3DNAND器件，因此可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。其单元结构是由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与铠侠的112层堆叠的BiCS3DNAND闪存在结构上的工艺相同。

与三星（V-NAND）、美光（CTFCuA）和SK海力士（4DPUC）的现有128层堆叠的512Gb3DTLCNAND闪存产品相比，长江存储的裸片尺寸更小，这使得它拥有最高的密度。TechInsights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争，技术上已赶上其他领跑者。

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